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SIA483DJ-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-70-6
數(shù)量:
 131536  
說明:
 MOSFET -30V 21mOhm@10V 12A P-Ch G-III
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SIA483DJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6圖片

SIA483DJ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:25 ns
商標(biāo)名:PowerPAK, TrenchFET
上升時(shí)間:60 ns
功率耗散:19 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:45 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :23 S
下降時(shí)間:20 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SC-70-6L Single
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):21 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:- 12 A
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIA483DJ-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SIA483DJ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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