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SIA511DJ-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-70-6 雙
數量:
 1593  
說明:
 MOSFET N/P-Ch MOSFET 12V 40/70mohms@4.5V
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SIA511DJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6 雙圖片

SIA511DJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIA511DJ-GE3
典型關閉延遲時間:15 ns, 20 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:10 ns, 12 ns
功率耗散:6.5 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :13 S, 9 S
下降時間:10 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SC-70-6 Dual
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):40 mOhms, 70 mOhms
漏極連續電流:4.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:12 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIA511DJ-T1-GE3的詳細信息,包括SIA511DJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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