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SIA777EDJ-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-70-6 雙
數(shù)量:
 8118  
說明:
 MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L
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SIA777EDJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6 雙圖片

SIA777EDJ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型:N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn):邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:225 毫歐 @ 1.6A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):20V, 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:1.5A, 4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:2.2nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :-
功率 - 最大:5W, 7.8W
安裝類型:表面貼裝

以上是SIA777EDJ-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SIA777EDJ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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