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SIA519EDJ-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-70-6 雙
數(shù)量:
 1602  
說明:
 MOSFET 20V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET
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SIA519EDJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6 雙圖片

SIA519EDJ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SIA519EDJ-GE3
功率耗散:7.8 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:7.7 nC, 10.5 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :7 S, 12 S
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SC-70-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.032 Ohms, 0.074 Ohms
漏極連續(xù)電流:+/- 4.5 A
汲極/源極擊穿電壓:+/- 20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SIA519EDJ-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SIA519EDJ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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