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SIA533EDJ-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-70-6 雙
數量:
 1611  
說明:
 MOSFET 12V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET
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SIA533EDJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6 雙圖片

SIA533EDJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIA533EDJ-GE3
功率耗散:7.8 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:10 nC, 13 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :11 S, 21 S
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SC-70-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.028 Ohms, 0.048 Ohms
漏極連續電流:+/- 4.5 A, - 3.7 A
汲極/源極擊穿電壓:+/- 12 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SIA533EDJ-T1-GE3的詳細信息,包括SIA533EDJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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