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SIA778DJ-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-70-6 雙
數(shù)量:
 1620  
說明:
 MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
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SIA778DJ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

FET 型:2 個 N 溝道(雙)
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:29 毫歐 @ 5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):12V, 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:4.5A, 1.5A
Id 時的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 8V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :500pF @ 6V
功率 - 最大:6.5W, 5W
安裝類型:表面貼裝

以上是SIA778DJ-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SIA778DJ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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