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SIA517DJ-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-70-6 雙
數(shù)量:
 6000  
說明:
 MOSFET 12V 4.5A 6.5W 29/61mohm @ 4.5V
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SIA517DJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6 雙圖片

SIA517DJ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SIA517DJ-GE3
典型關閉延遲時間:22 ns at N Channel, 30 ns at P Channel
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:10 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
功率耗散:6.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:10 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SC-70-6 Dual
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):29 mOhms, 61 mOhms
漏極連續(xù)電流:4.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:12 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIA517DJ-T1-GE3的詳細信息,包括SIA517DJ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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