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SIA811ADJ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6 雙
數量：: 11149
說明：: MOSFET 20V 4.5A 6.5W

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SIA811ADJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIA811ADJ-GE3
典型關閉延遲時間：20 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：45 ns
功率耗散：6.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：7 S
下降時間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-70-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.165 Ohms
漏極連續電流：- 4.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA811ADJ-T1-GE3的詳細信息，包括SIA811ADJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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