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SIA456DJ-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-70-6
數量:
 1566  
說明:
 MOSFET 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V
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SIA456DJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6圖片

SIA456DJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIA456DJ-GE3
典型關閉延遲時間:30 ns, 16 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:25 ns, 20 ns
功率耗散:3.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:20 ns, 12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SC-70
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.38 Ohms
漏極連續電流:1.1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIA456DJ-T1-GE3的詳細信息,包括SIA456DJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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