中文參數如下:
典型關閉延遲時間:49.5 ns
上升時間:6.4 ns
功率耗散:2000 mW
下降時間:6.4 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
配置:Dual Dual Drain
漏極連續電流:4.8 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
制造商:Diodes Inc.
以上是ZXMD65P03N8TC的詳細信息,包括ZXMD65P03N8TC廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!