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ZXMHC10A07N8TC

廠家：: Diodes Inc. / Zetex
封裝：: 8-SO
數量：: 23753
說明：: MOSFET Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

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ZXMHC10A07N8TC PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：4.1 ns, 5.9 ns
上升時間：1.5 ns, 2.1 ns
功率耗散：1.36 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：2.9 nC, 3.5 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：1.6 S, 1.2 S
下降時間：2.1 ns, 3.3 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：H-Bridge
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.9 Ohms at 0.9 A, 6 V, 1.45 Ohms at - 0.7 A, - 6 V
漏極連續電流：1 A, - 0.85 A
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMHC10A07N8TC的詳細信息，包括ZXMHC10A07N8TC廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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