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ZXMHC6A07N8TC

廠家：: Diodes Inc. / Zetex
封裝：: 8-SO
數量：: 1908
說明：: MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

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ZXMHC6A07N8TC PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：4.9 ns, 13 ns
上升時間：1.4 ns, 2.3 ns
功率耗散：1.36 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：3.2 nC, 5.1 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：2.3 S, 1.8 S
下降時間：2 ns, 5.8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：H-Bridge
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.35 Ohms at 1.5 A, 4.5 V, 0.6 Ohms at - 1.2 A, - 4.5 V
漏極連續電流：1.8 A, - 1.42 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMHC6A07N8TC的詳細信息，包括ZXMHC6A07N8TC廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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