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ZXMHC3A01N8TC

廠家：: Diodes Inc. / Zetex
封裝：: 8-SO
數量：: 28324
說明：: MOSFET Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A

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ZXMHC3A01N8TC PDF參數資料

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中文參數如下：

上升時間：2.3 ns
功率耗散：10.9 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：2.9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：H-Bridge
電阻汲極/源極 RDS（導通）：125 mOhm to 330 mOhm
漏極連續電流：- 2.06 A, 2.72 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V, 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMHC3A01N8TC的詳細信息，包括ZXMHC3A01N8TC廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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