色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

廠家：: Diodes Inc. / Zetex
封裝：: SM8
數量：: 1935
說明：: MOSFET 60V UMOS H-Bridge

一、本商品被瀏覽0次.

ZXMHC6A07T8TA PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：4.9 ns, 13 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：1.4 ns, 2.3 ns
功率耗散：1.7 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：3.2 nC, 5.1 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：2.3 S, 1.8 S
下降時間：2 ns, 5.8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SM-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Quad
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.3 Ohms at 1.8 A, 0.425 Ohms at - 1.5 A
漏極連續電流：1.8 A, - 1.5 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Diodes Inc.

以上是ZXMHC6A07T8TA的詳細信息，包括ZXMHC6A07T8TA廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ