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SIHD3N50D-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 4590
說明：: MOSFET 500V 3.2ohm@10V 3A N-Ch D-SRS

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SIHD3N50D-GE3-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

SIHD3N50D-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時(shí)間：9 ns
功率耗散：104 W
柵極電荷 Qg：6 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：1 S
下降時(shí)間：13 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK (TO-252)
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：3.2 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：3 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHD3N50D-GE3的詳細(xì)信息，包括SIHD3N50D-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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