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SIHD5N50D-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數量:
 4599  
說明:
 MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS
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SIHD5N50D-GE3-TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63圖片

SIHD5N50D-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

上升時間:11 ns
功率耗散:104 W
柵極電荷 Qg:10 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :1.8 S
下降時間:11 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:DPAK (TO-252)
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.5 Ohms at 10 V
漏極連續電流:5.3 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHD5N50D-GE3的詳細信息,包括SIHD5N50D-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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