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SIHD7N60ET-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 DPAK (TO-252)
數量:
 4626  
說明:
 MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
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SIHD7N60ET-GE3-DPAK (TO-252)圖片

SIHD7N60ET-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

功率耗散:78 W
最小工作溫度:- 55 C
封裝形式:DPAK (TO-252)
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):600 mOhms at 10 V
漏極連續電流:7 A
閘/源擊穿電壓:4 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHD7N60ET-GE3的詳細信息,包括SIHD7N60ET-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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