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SIHD4N80E-GE3

廠家:
  Vishay Siliconix
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數(shù)量:
 6993  
說(shuō)明:
 MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
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SIHD4N80E-GE3-TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63圖片

SIHD4N80E-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
封裝/外殼:TO-252AA
安裝類型:表面貼裝型
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
同步整流器:69W(Tc)
頻率 - 開(kāi)關(guān):-
電流 - 輸出:622 pF @ 100 V
電壓 - 輸出(最大值):±30V
電壓 - 輸出(最小值/固定):32 nC @ 10 V
電壓 - 輸入(最大值):4V @ 250μA
電壓 - 輸入(最小值):1.27 歐姆 @ 2A,10V
輸出數(shù):10V
輸出類型:4.3A(Tc)
拓?fù)洌?00 V
輸出配置:MOSFET(金屬氧化物)
功能:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:E
系列:散裝
品牌:Vishay Siliconix

以上是SIHD4N80E-GE3的詳細(xì)信息,包括SIHD4N80E-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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