色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 電源 > 電源管理 IC > 開關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器 > SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 4786
說明：: MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

一、本商品被瀏覽0次.

SIHD7N60E-GE3-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

SIHD7N60E-GE3 PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：48 ns
上升時(shí)間：26 ns
功率耗散：78 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：40 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：1.9 S
下降時(shí)間：28 ns
封裝形式：DPAK (TO-252)
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：600 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：7 A
閘/源擊穿電壓：4 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHD7N60E-GE3的詳細(xì)信息，包括SIHD7N60E-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產(chǎn)品：

軟開關(guān) PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數(shù)校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器最新產(chǎn)品：