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SIA907EDJT-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-70-6 雙
數量:
 6231  
說明:
 MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III
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SIA907EDJT-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6 雙圖片

SIA907EDJT-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIA907EDJT-GE3
典型關閉延遲時間:30 ns
上升時間:10 ns
功率耗散:7.8 W
柵極電荷 Qg:15 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :11 S
下降時間:10 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SC-70-6L
安裝風格:SMD/SMT
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):57 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流:4.5 A
閘/源擊穿電壓:12 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIA907EDJT-T1-GE3的詳細信息,包括SIA907EDJT-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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