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SI8467DB-T2-E1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 4-XFBGA,CSPBGA
數量:
 747  
說明:
 MOSFET -20V 3.4A 1.8W 73mOhms @ 4.5V
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SI8467DB-T2-E1-4-XFBGA,CSPBGA圖片

SI8467DB-T2-E1 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:50 ns
商標名:MICROFOOT TrenchFET
上升時間:45 ns
功率耗散:1.8 W
柵極電荷 Qg:6.9 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :6 S
下降時間:20 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:Micro Foot-4
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.073 Ohms
漏極連續電流:- 3.7 A
閘/源擊穿電壓:- 1.5 V
汲極/源極擊穿電壓:- 20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI8467DB-T2-E1的詳細信息,包括SI8467DB-T2-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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