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SI8487DB-T1-E1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 4-Microfoot
數量:
 4788  
說明:
 MOSFET -30V 31mOhm@10V 7.7A P-Ch G-III
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SI8487DB-T1-E1-4-Microfoot圖片

SI8487DB-T1-E1 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI8487DB-E1
典型關閉延遲時間:290 ns
上升時間:10 ns
功率耗散:2.7 W
柵極電荷 Qg:52 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :16 S
下降時間:60 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:MICRO FOOT 1.6 x 1.6
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):31 mOhms at 10 V
漏極連續電流:7.7 A
閘/源擊穿電壓:12 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI8487DB-T1-E1的詳細信息,包括SI8487DB-T1-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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