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SI8499DB-T2-E1

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 6-UFBGA
數量：
 5579  
說明：
 MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III
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SI8499DB-T2-E1-6-UFBGA圖片

SI8499DB-T2-E1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：55 nS
上升時間：10 nS
功率耗散：2.77 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：20 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：10 S
下降時間：30 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：MICRO FOOT 1.5 x 1
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：32 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：- 7.8 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI8499DB-T2-E1的詳細信息，包括SI8499DB-T2-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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