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SI8497DB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-microfoot
數量：: 4806
說明：: MOSFET -30V 53mOhm@4.5V 13A P-Ch G-III

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SI8497DB-T2-E1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：75 ns
上升時間：10 ns
功率耗散：13 W
柵極電荷 Qg：32.6 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：10 S
下降時間：22 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MICRO FOOT 1.5 x 1
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：53 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：13 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8497DB-T2-E1的詳細信息，包括SI8497DB-T2-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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