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SI8489EDB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-UFBGA
數(shù)量：: 7797
說明：: MOSFET -20V 44mOhm@10V 5.4A P-Ch G-III

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SI8489EDB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：50 ns
商標名：MICROFOOT TrenchFET
上升時間：20 ns
功率耗散：0.3 W to 0.9 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：9.5 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：10 S
下降時間：25 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MICRO FOOT 1 x 1
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：44 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：0.7 A
閘/源擊穿電壓：12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8489EDB-T2-E1的詳細信息，包括SI8489EDB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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