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SI5515CDC-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 1206-8 ChipFET?
數量:
 6048  
說明:
 MOSFET 20V 4A / 4A N & P-CH MOSFET
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SI5515CDC-T1-GE3-1206-8 ChipFET?圖片

SI5515CDC-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI5515CDC-GE3
功率耗散:3.1 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:7.5 nC, 7 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :9.5 S, 22.4 S
包裝形式:Reel
封裝形式:1206-8 ChipFET
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):36 mOhms, 100 mOhms
漏極連續電流:4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SI5515CDC-T1-GE3的詳細信息,包括SI5515CDC-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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