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SI5515DC-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 1206-8 ChipFET?
數量：: 7434
說明：: MOSFET COMPLEMENTARY 20-V (D-S)

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SI5515DC-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI5515DC-E3
典型關閉延遲時間：30 ns at N Channel, 42 ns at P Channel
工廠包裝數量：3000
上升時間：36 ns at N Channel, 32 ns at P Channel
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：36 ns at N Channel, 32 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：1206-8 ChipFET
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：40 mOhms, 86 mOhms
漏極連續電流：4.4 A, 3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5515DC-T1-E3的詳細信息，包括SI5515DC-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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