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SI5519DU-T1-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK-8 ChipFET Dual
數量:
 8307  
說明:
 MOSFET 20V 6.0A 10.4W
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SI5519DU-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI5519DU-E3
典型關閉延遲時間:22 ns, 25 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:15 ns, 11 ns
功率耗散:2.27 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:6 ns, 8.5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK-8 ChipFET Dual
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):36 mOhms, 64 mOhms
漏極連續電流:6 A, 4.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI5519DU-T1-E3的詳細信息,包括SI5519DU-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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