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SI5519DU-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? ChipFet 雙
數(shù)量:
 5490  
說明:
 MOSFET N/P-Ch ChipFET 20V 36/64mohm @ 4.5V
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SI5519DU-T1-GE3-PowerPAK? ChipFet 雙圖片

SI5519DU-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI5519DU-GE3
典型關(guān)閉延遲時間:22 ns, 25 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:15 ns, 11 ns
功率耗散:2.27 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:6 ns, 8.5 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK-8 ChipFET Dual
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):36 mOhms, 64 mOhms
漏極連續(xù)電流:6 A, 4.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI5519DU-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI5519DU-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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