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SI5517DU-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? ChipFet 雙
數量：: 6066
說明：: MOSFET N-AND P-CH 20V(D-S)

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SI5517DU-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI5517DU-E3
典型關閉延遲時間：40 ns, 40 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：65 ns, 35 ns
功率耗散：2.3 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：10 ns, 55 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK-8 ChipFET Dual
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：39 mOhms, 72 mOhms
漏極連續電流：7.2 A, 4.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5517DU-T1-E3的詳細信息，包括SI5517DU-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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