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中文參數如下:
零件號別名:SI5513CDC-GE3
功率耗散:3.1 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:2.8 nC, 3.9 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :5 S, 12 S
包裝形式:Reel
封裝形式:1206-8 ChipFET
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):55 mOhms, 150 mOhms
漏極連續電流:4 A, 2.4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay
以上是SI5513CDC-T1-GE3的詳細信息,包括SI5513CDC-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!