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SI5511DC-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 1206-8 ChipFET?
數量:
 6021  
說明:
 MOSFET N/P-CH 30V 1206-8
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SI5511DC-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

FET 型:N 和 P 溝道
FET 特點:邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:55 毫歐 @ 4.8A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:4A, 3.6A
Id 時的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:7.1nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :435pF @ 15V
功率 - 最大:3.1W, 2.6W
安裝類型:表面貼裝

以上是SI5511DC-T1-GE3的詳細信息,包括SI5511DC-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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