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SI5509DC-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 1206-8 ChipFET?
數(shù)量:
 4932  
說明:
 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
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SI5509DC-T1-GE3-1206-8 ChipFET?圖片

SI5509DC-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型:N 和 P 溝道
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:52 毫歐 @ 5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:5A, 3.9A
Id 時的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:6.6nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :455pF @ 10V
功率 - 最大:2.1W
安裝類型:表面貼裝

以上是SI5509DC-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI5509DC-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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