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SI5509DC-T1-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 1206-8 ChipFET?
數量:
 6003  
說明:
 MOSFET N-AND P-CH 20V(D-S)
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SI5509DC-T1-E3-1206-8 ChipFET?圖片

SI5509DC-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI5509DC-E3
典型關閉延遲時間:12 ns, 25 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:95 ns, 75 ns
功率耗散:2.1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:6 ns, 60 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:1206-8 ChipFET
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):52 mOhms, 90 mOhms
漏極連續電流:5 A, 3.9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI5509DC-T1-E3的詳細信息,包括SI5509DC-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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