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NTD4960N-1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 I-Pak
數量:
 6777  
說明:
 MOSFET NFET IPAK 30V 55A 8mOHM
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NTD4960N-1G-I-Pak圖片

NTD4960N-1G PDF參數資料

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中文參數如下:

上升時間:20 ns
功率耗散:1.68 W
柵極電荷 Qg:11 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :48 S
下降時間:4 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:IPAK
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 85 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):6.1 mOhms
漏極連續電流:11.1 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是NTD4960N-1G的詳細信息,包括NTD4960N-1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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