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NTD4965N-1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 IPAK-3
數量:
 7999  
說明:
 MOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH
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NTD4965N-1G-IPAK-3圖片

NTD4965N-1G PDF參數資料

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中文參數如下:

功率耗散:1.39 W, 2.6 W, 38.5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:17.2 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :52 s
包裝形式:Tube
封裝形式:IPAK-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):4.7 mOhms
漏極連續電流:17.8 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是NTD4965N-1G的詳細信息,包括NTD4965N-1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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