色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

NTD4960N-35G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 I-Pak
數量：
 6786  
說明：
 MOSFET NFET DPAK 30V 55A 8mOHM
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
NTD4960N-35G-I-Pak圖片

NTD4960N-35G PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

上升時間：20 ns
功率耗散：1.68 W
柵極電荷 Qg：11 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：48 S
下降時間：4 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 85 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：6.1 mOhms
漏極連續電流：11.1 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4960N-35G的詳細信息，包括NTD4960N-35G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板： 黔西县| 唐河县| 罗城| 西乌珠穆沁旗| 富源县| 高唐县| 桐庐县| 台中市| 商河县| 五常市| 湘阴县| 镇原县| 元朗区| 北海市| 临安市| 运城市| 永清县| 汤原县| 庆元县| 台北县| 鄂州市| 观塘区| 郴州市| 晴隆县| SHOW| 安泽县| 九江县| 尼木县| 富锦市| 泽州县| 新河县| 唐海县| 区。| 南郑县| 宣威市| 安泽县| 岳阳县| 克拉玛依市| 澜沧| 宝应县| 龙泉市|