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NTD4969N-35G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 I-Pak
數(shù)量:
 6867  
說明:
 MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH
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NTD4969N-35G-I-Pak圖片

NTD4969N-35G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

功率耗散:1.38 W, 2.56 W, 26.3 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:9 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :36 s
包裝形式:Tube
封裝形式:IPAK Trimmed
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):19 mOhms
漏極連續(xù)電流:12.7 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor

以上是NTD4969N-35G的詳細信息,包括NTD4969N-35G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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