色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > NTD4969N-1G

NTD4969N-1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: IPAK
數量：: 7015
說明：: MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH

一、本商品被瀏覽0次.

NTD4969N-1G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

功率耗散：1.38 W, 2.56 W, 26.3 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：9 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：36 s
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：19 mOhms
漏極連續電流：12.7 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4969N-1G的詳細信息，包括NTD4969N-1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1