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IRFBE20STRR

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：
 5751  
說明：
 MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
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IRFBE20STRR-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IRFBE20STRR PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.5 歐姆 @ 1.1A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：800V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：1.8A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：38nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：530pF @ 25V
功率 - 最大：54W
安裝類型：表面貼裝

以上是IRFBE20STRR的詳細信息，包括IRFBE20STRR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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