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IRFBE30L

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
數(shù)量：: 8532
說明：: MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

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IRFBE30L PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：82 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：33 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：30 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-262
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：3 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFBE30L的詳細(xì)信息，包括IRFBE30L廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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