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IRFBE30S

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數量：: 882
說明：: MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

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IRFBE30S-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IRFBE30S PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：82 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：33 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：30 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3 Ohms
漏極連續電流：4.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFBE30S的詳細信息，包括IRFBE30S廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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