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IRFBE30STRLPBF

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: D2PAK（TO-263）
數量：: 3870
說明：: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

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IRFBE30STRLPBF PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 歐姆 @ 2.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：800V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：4.1A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：78nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1300pF @ 25V
功率 - 最大：125W
安裝類型：表面貼裝

以上是IRFBE30STRLPBF的詳細信息，包括IRFBE30STRLPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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