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IRFBE30SPBF

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數量:
 8541  
說明:
 MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
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IRFBE30SPBF-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

IRFBE30SPBF PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:82 ns
工廠包裝數量:1000
上升時間:33 ns
功率耗散:125 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:30 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):3 Ohms
漏極連續電流:4.1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:800 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRFBE30SPBF的詳細信息,包括IRFBE30SPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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