色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > TPS1100PWR

TPS1100PWR

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-TSSOP
數量：: 7083
說明：: MOSFET NPN Enh Mode

一、本商品被瀏覽0次.

TPS1100PWR PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：13 ns
工廠包裝數量：2000
上升時間：10 ns
功率耗散：0.504 W
最小工作溫度：- 40 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：2.5 S
下降時間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSSOP-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.18 Ohms
漏極連續電流：+/- 1.27 A
閘/源擊穿電壓：- 15 V
汲極/源極擊穿電壓：- 15 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是TPS1100PWR的詳細信息，包括TPS1100PWR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ