色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > TPS1101DR

TPS1101DR

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 7137
說(shuō)明：: MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

TPS1101DR PDF參數(shù)資料

點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：19 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：5.5 ns
功率耗散：791 mW
最小工作溫度：- 40 C
下降時(shí)間：5.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：90 mOhms (Typ)
漏極連續(xù)電流：2.3 A
閘/源擊穿電壓：- 15 V, 2 V
汲極/源極擊穿電壓：15 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是TPS1101DR的詳細(xì)信息，包括TPS1101DR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ