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TPS1120DG4

廠家：: Texas Instruments
封裝：: SOIC-8
數(shù)量：: 7200
說(shuō)明：: MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET

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TPS1120DG4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：13 ns
工廠包裝數(shù)量：75
上升時(shí)間：10 ns
功率耗散：0.84 W
最小工作溫度：- 40 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：2.5 S
下降時(shí)間：10 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.18 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 2.7 V
閘/源擊穿電壓：+ 2 V, - 15 V
汲極/源極擊穿電壓：15 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是TPS1120DG4的詳細(xì)信息，包括TPS1120DG4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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