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TPS1101D

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數量：: 7119
說明：: MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET

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TPS1101D PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：19 ns
工廠包裝數量：75
上升時間：5.5 ns
功率耗散：791 mW
最小工作溫度：- 40 C
下降時間：5.5 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：90 mOhms (Typ)
漏極連續電流：2.3 A
閘/源擊穿電壓：- 15 V, 2 V
汲極/源極擊穿電壓：15 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Texas Instruments

以上是TPS1101D的詳細信息，包括TPS1101D廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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