色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

TPS1100DRG4

廠家:
  Texas Instruments
封裝:
 SOIC-8
數量:
 7056  
說明:
 MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
TPS1100DRG4-SOIC-8圖片

TPS1100DRG4 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

典型關閉延遲時間:13 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:10 ns
功率耗散:791 mW
最小工作溫度:- 40 C
下降時間:10 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):180 mOhms (Typ)
漏極連續電流:1.6 A
閘/源擊穿電壓:- 15 V, 2 V
汲極/源極擊穿電壓:15 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Texas Instruments

以上是TPS1100DRG4的詳細信息,包括TPS1100DRG4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 福安市| 科技| 永清县| 宝山区| 和龙市| 朝阳市| 沈丘县| 清丰县| 临夏县| 江西省| 扶余县| 兴和县| 固始县| 崇文区| 江华| 凤冈县| 榆社县| 平泉县| 安乡县| 长岛县| 孙吴县| 黑山县| 汉寿县| 莒南县| 九江市| 天峨县| 天长市| 保德县| 府谷县| 英山县| 舒城县| 平阴县| 隆昌县| 桑植县| 金昌市| 靖边县| 喀什市| 旺苍县| 蓬安县| 登封市| 新竹县|