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SUP60N02-4M5P-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220-3
數量：: 3627
說明：: MOSFET 20V 60A 120W 4.5mohm @ 10V

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SUP60N02-4M5P-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：35 ns
工廠包裝數量：500
上升時間：7 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0045 Ohms
漏極連續電流：60 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUP60N02-4M5P-E3的詳細信息，包括SUP60N02-4M5P-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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