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SUP60N02-4M5P-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數量:
 3627  
說明:
 MOSFET 20V 60A 120W 4.5mohm @ 10V
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SUP60N02-4M5P-E3-TO-220-3圖片

SUP60N02-4M5P-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:35 ns
工廠包裝數量:500
上升時間:7 ns
功率耗散:3.75 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0045 Ohms
漏極連續電流:60 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUP60N02-4M5P-E3的詳細信息,包括SUP60N02-4M5P-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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